Jian Fu Zhang

Παρατίθεται από

	Όλα	Από το 2019
Παραθέσεις	4273	1179
h-index	39	19
i10-index	121	43

280

140

210

199119921993199419951996199719981999200020012002200320042005200620072008200920102011201220132014201520162017201820192020202120222023202413 11 22 34 36 17 40 33 46 27 48 51 99 105 116 145 134 143 161 95 135 176 279 246 217 170 164 262 181 263 198 232 262 43

Δημόσια πρόσβαση

Προβολή όλων

65 άρθρα

18 άρθρα

διαθέσιμα

μη διαθέσιμα

Σύμφωνα με εντολές χρηματοδότησης

Συν-συγγραφείς

Wei Dong ZhangProfessor of Nanoelectronics, Liverpool John Moores UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ljmu.ac.uk
zhigang jiShanghai Jiaotong UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα sjtu.edu.cn
Ben KaczerimecΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα imec.be
Luigi PantisanoglobalfoundriesΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα imec.be
David R BurtonLiverpoolΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ljmu.ac.uk
Lin LinDean and Professor of Finance, New Huadu Business School, Minjiang University (China)Η διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα nbs.edu.cn

Παρακολούθηση

Jian Fu Zhang

Professor of Microelectronics, Liverpool John Moores University

Η διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ljmu.ac.uk

Microelectronics


Τίτλος Ταξινόμηση με βάση τις αναφορές Ταξινόμηση κατά έτος Ταξινόμηση κατά τίτλο	Παρατίθεται από Παρατίθεται από	Έτος
Electron trap generation in thermally grown SiO₂ under Fowler–Nordheim stress JF Zhang, S Taylor, W Eccleston Journal of applied physics 71 (2), 725-734, 1992	152	1992
THEORETICAL INVESTIGATION OF A 2 KA DC NITROGEN ARC IN A SUPERSONIC NOZZLE JF ZHANG, MTC FANG, DB NEWLAND Journal of Physics D-Applied Physics, 0	147*
Positive bias temperature instability in MOSFETs JF Zhang, W Eccleston IEEE Transactions on Electron Devices 45 (1), 116-124, 1998	102	1998
Hole traps in silicon dioxides. Part I. Properties JF Zhang, CZ Zhao, AH Chen, G Groeseneken, R Degraeve IEEE Transactions on Electron Devices 51 (8), 1267-1273, 2004	97	2004
A review of the plasma oxidation of silicon and its applications S Taylor, JF Zhang, W Eccleston Semiconductor science and technology 8 (7), 1426, 1993	91	1993
A comparative study of the electron trapping and thermal detrapping in SiO₂ prepared by plasma and thermal oxidation JF Zhang, S Taylor, W Eccleston Journal of applied physics 72 (4), 1429-1435, 1992	81	1992
Hole trapping and trap generation in the gate silicon dioxide JF Zhang, HK Sii, G Groeseneken, R Degraeve IEEE Transactions on Electron Devices 48 (6), 1127-1135, 2001	76	2001
A quantitative investigation of electron detrapping in SiO₂ under Fowler–Nordheim stress JF Zhang, S Taylor, W Eccleston Journal of applied physics 71 (12), 5989-5996, 1992	73	1992
The role of nitrogen doping in ALD Ta2O5 and its influence on multilevel cell switching in RRAM N Sedghi, H Li, IF Brunell, K Dawson, RJ Potter, Y Guo, JT Gibbon, ... Applied Physics Letters 110 (10), 2017	69	2017
NBTI lifetime prediction and kinetics at operation bias based on ultrafast pulse measurement Z Ji, L Lin, JF Zhang, B Kaczer, G Groeseneken IEEE Transactions on Electron Devices 57 (1), 228-237, 2009	68	2009
Stress-induced positive charge in Hf-based gate dielectrics: Impact on device performance and a framework for the defect CZ Zhao, JF Zhang, MH Chang, AR Peaker, S Hall, G Groeseneken, ... IEEE Transactions on Electron Devices 55 (7), 1647-1656, 2008	68	2008
Two-Pulse – : A New Method for Characterizing Electron Traps in the Bulk of Dielectric Stacks WD Zhang, B Govoreanu, XF Zheng, DR Aguado, M Rosmeulen, ... IEEE Electron Device Letters 29 (9), 1043-1046, 2008	64	2008
Real Vth instability of pMOSFETs under practical operation conditions JF Zhang, Z Ji, MH Chang, B Kaczer, G Groeseneken 2007 IEEE International Electron Devices Meeting, 817-820, 2007	61	2007
Hole-traps in silicon dioxides. Part II. Generation mechanism CZ Zhao, JF Zhang, G Groeseneken, R Degraeve IEEE Transactions on Electron Devices 51 (8), 1274-1280, 2004	58	2004
Energy distribution of positive charges in gate dielectric: Probing technique and impacts of different defects SWM Hatta, Z Ji, JF Zhang, M Duan, WD Zhang, N Soin, B Kaczer, ... IEEE Transactions on Electron Devices 60 (5), 1745-1753, 2013	56	2013
An analysis of the NBTI-induced threshold voltage shift evaluated by different techniques Z Ji, JF Zhang, MH Chang, B Kaczer, G Groeseneken IEEE Transactions on Electron Devices 56 (5), 1086-1093, 2009	56	2009
Defects and instabilities in Hf-dielectric/SiON stacks JF Zhang Microelectronic engineering 86 (7-9), 1883-1887, 2009	55	2009
A single pulse charge pumping technique for fast measurements of interface states L Lin, Z Ji, JF Zhang, WD Zhang, B Kaczer, S De Gendt, G Groeseneken IEEE Transactions on Electron Devices 58 (5), 1490-1498, 2011	52	2011
Determination of capture cross sections for as-grown electron traps in HfO2∕ HfSiO stacks CZ Zhao, JF Zhang, MB Zahid, B Govoreanu, G Groeseneken, ... Journal of applied physics 100 (9), 2006	52	2006
Traps JF Zhang Wiley Encyclopedia of Electrical and Electronics Engineering, 1-10, 1999	52	1999

Δεν είναι δυνατή η εκτέλεση της ενέργειας από το σύστημα αυτή τη στιγμή. Προσπαθήστε ξανά αργότερα.

Άρθρα 1–20

Παραθέσεις ανά έτος

Διπλότυπες αναφορές

Συγχωνευμένες αναφορές

Προσθήκη από κοινού συγγραφέωνΣυν-συγγραφείς

Παρακολούθηση

Παρατίθεται από

Συν-συγγραφείς